SCMs|利用紫外光浸泡效应提升Cs2AgBiBr6全无机钙钛矿光电探测器性能
目前已报道的Cs2AgBiBr6光电探测器的响应速度在毫秒到纳秒量级宽度区间变化,随机性强,但原因尚不明确,新的响应速度调控方法也鲜有报道。此外,在传统观念中,紫外光通常被认为对钙钛矿器件存在有害作用,会使器件性能衰减。
近日,暨南大学麦文杰教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文,在不减小器件面积的情况下,FTO/Cs2AgBiBr6/Au结构光电探测器的响应速度可以利用紫外光浸泡效应实现有效调控。特别是下降时间可以从30.1 μs有效调控到340 ns,且器件的−3 dB带宽可从5 kHz扩展至20 kHz。值得一提的是,紫外光浸泡处理后,器件光电流显著提升了15倍。
此外,还进一步证明了紫外光浸泡处理方法对FTO/TiO2/Cs2AgBiBr6/Au、FTO/Cs2AgBiBr6/TiO2/Au和FTO/TiO2/Cs2AgBiBr6/CuSCN/Au结构的Cs2AgBiBr6基器件同样有效。
本工作为提高Cs2AgBiBr6全无机钙钛矿光电探测器响应速度和光电流提供了新的方法和思路。
文章信息
Yuan, Y., Yan, G., Li, Z. et al. UV soaking for enhancing the photocurrent and response speed of Cs2AgBiBr6-based all-inorganic perovskite photodetectors. Sci. China Mater. (2021). https://doi.org/10.1007/s40843-021-1745-5
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